Oxidation Reduction Potential(ORP) 氧化還原電位，濕制程中有許多是氧化還原同時進行的反應，如內層板面以氯化銅槽液去蝕刻銅箔時，即會發生如下的離子方程式：
Cu+2 + Cu → 2Cu+1
即當槽液中的二價銅離子(氧化劑)去咬金屬銅時，將會使金屬銅從零價氧化在為1價的亞銅離子，但自身卻也由2價還原到1價。若將之寫成完全方程式並加入鹽酸或氯氣再生時，其變化如下：
CuCl2 + Cu → 2CuCl …… 氧化/還原
2CuCl + 2HCl + H2O2 → 2CuCl2 + 2H2O ……氧化/還原(加酸再生)
2CuCl + Cl2 → 2CuCl2 ……氧化/還原(加氯再生)
蝕刻進行中，槽液內存在有易溶的氧化劑Cu+2與不易溶的還原劑Cu+1,由Nernst方程可知，其ORP電位（E）可計算如下：
E = E0 + (2.3026RT/nF)*log10(Cu+2/Cu+1)
也就是Cu+2與Cu+1之間的平衡電位（E），與氧化劑濃度[Cu+2]成正比，與還原劑濃度[Cu+1]增多是時，其ORP會降低，當Cu+2增加時，其ORP會升高而蝕刻速率（Etch Rate）也將加快。當ORP升高時，蝕刻曲線也會向上揚升而加快。
但卻不能為了加快蝕刻而將ORP設定的太高，以免造成Cl-1被氧化成Cl2,而會有出現氯氣的危險。最好是將ORP控制在500～540mV之間的平台上，可在不產生氯氣的危險下而能得到最高蝕速的27μm/min。
若生產線為了量產而需要加快蝕刻以便有更高的產出（Output）時，不妨增多蝕刻槽或拉長蝕刻段的長度，如此將不必冒險又能兼顧到量產的需求，此時ORP的控制將成為重要的角色。
現行ORP控制器均已十分精良，並可指揮自動添加器與排放幫浦，分別執行有效的工作，對多種濕制程皆能進行自動監控，不但可使制程穩定而且也十分方便。 |
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